俄罗斯EUV光刻机研发：挑战ASML的垄断之路

摘要： 俄罗斯在EUV光刻机领域取得了显著进展，这或将打破ASML的行业垄断，为全球半导体产业带来新的格局。俄罗斯的研发并非完全复制ASML的技术路线，而是另辟蹊径，选择开发工作波长为...

俄罗斯在EUV光刻机领域取得了显著进展，这或将打破ASML的行业垄断，为全球半导体产业带来新的格局。

俄罗斯的研发并非完全复制ASML的技术路线，而是另辟蹊径，选择开发工作波长为11.2纳米的新型光刻设备。这种技术路线具有成本和效率优势，因为它无需光掩膜即可进行直写光刻，并能使用硅基光阻剂，提升工作效率和质量。

尽管苏联时期已积累了一定技术基础，但经济困境、人才流失和技术封锁曾严重阻碍了俄罗斯光刻机技术的产业化发展。近年来，俄罗斯通过国家实验室和科研机构的支持，取得了一系列突破。目前，俄罗斯已成功组装并测试了一台能够生产350nm芯片的光刻机，并计划在2026年制造出支持130nm工艺的光刻机，最终目标是达到90nm及以下制程。

俄罗斯的研发方向具有创新性，但仍面临诸多挑战。ASML目前仍是全球最大的光刻机制造商，拥有最先进的EUV光刻机技术。此外，日本佳能和尼康、韩国斗山和海力士，以及中国的中芯国际和长江存储等企业也在积极研发光刻机技术，竞争激烈。

如果俄罗斯能够克服挑战，在X射线光刻技术上取得突破，将可能重塑全球半导体产业竞争态势，并为其他国家在光刻机技术研发方面提供新的思路。